台积电2nm需求超所有其它制程

台积电的2nm制程技术在成熟度上取得了快速进展，其缺陷密度率已与3nm和5nm相当，并采用了新的环绕栅极晶体管架构。此外，与3nm增强版相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。