SK海力士正在开发低功耗LPDDR5M：能效提高8%

与此同时，SK海力士在高带宽内存领域的研发也取得了重要进展。目前，SK海力士已进入12层堆叠HBM4的试产阶段，良品率从去年底的60%提升至70%。这一进展得益于其采用了1β（b）nm工艺制造DRAM芯片，该工艺在性能和稳定性方面已得到充分验证，并将同样应用于HBM3E产品的生产中。