三星目标 2028 年推出 LPW DRAM

此外，LPW DRAM 在结构上改变了多层 DRAM 堆栈的组合方式：其将采用结合 RDL（IT之家注：重布线层）的垂直引线键合取代目前的传统引线键合，实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。三星电子宣称，LPW DRAM 的带宽可达 200GB/s 以上，较现有的 LPDDR5x 提升 166%；同时其功耗降至 1.9 pJ / bit，比 LPDDR5x 低 54%。